沈陽科儀高真空電子東蒸發薄膜沉積系統--EB700 真空室結構: U形前開門 真空室尺寸:700x700x900mm 極限真空度:≤6.6E-5Pa 沉積源:6個40cc坩堝 樣品尺寸，溫度:4英寸，26片，最高300℃C 占地面積(長x寬x高):約3.2米x3.9米x2.1米 工藝:片內膜厚均勻性:≤3% 特色參數: 工件架有拱形基片架和行星形基片架:可根據用戶基片尺

沈陽科儀高真空電弧熔煉及吸鑄系統--DHL400 真空室結構:圓筒形上升蓋 真空室尺寸:φ400X320mm 極限真空度:≤8.0E-5Pa 沉積源:無 樣品尺寸，溫度: 占地面積(長x寬x高):約2.1米x2.2米x2.2米 電控描述:手動 工藝:不含工藝 特色參數:共有5工位(半球窩SR35)，3熔煉合金工位(帶磁攪拌)，1吸鑄工位，1熔煉除氣工位;

沈陽科儀高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統--PLD450 真空室結構:球形前開門 真空室尺寸:450mm 極限真空度:≤6.67E-6Pa 沉積源:2英寸靶材，4個 樣品尺寸，溫度:2英寸，1片，最高800℃C 占地面積(長x寬x高):約1.8米x0.97米x1.9米 電控描述:全自動

沈陽科儀高真空電子東及熱阻薄膜沉積系統 真空室結構:U形前開門 真空室尺寸:500x500x600mm 極限真空度:≤6.67E-5Pa 沉積源:4個11cc坩堝 樣品尺寸，溫度:φ4英寸，1片，最高800C 占地面積(長x寬x高):約2.7米x1.7米x2.1米 電控描述:全自動 工藝:片內膜厚均勻性:≤+3% 特色參數:樣品可自轉，轉速可調

沈陽科儀高真空磁控濺射薄膜沉積系統--PVD500 真空室結構:方形前開門 真空室尺寸:p500x500x500mm 極限真空度:≤3.0E-5Pa 沉積源:永磁靶4套，2英寸 樣品尺寸，溫度:p4英寸，1片，最高800°C 占地面積(長x寬x高):約2米x1.7米x2米 電控描述:全自動 工藝:片內膜厚均勻性:≤3%

沈陽科儀高真空磁控濺射薄膜沉積系統--TRP450 真空室結構:圓筒形前開門 真空室尺寸:φ450x400mm 極限真空度:≤6.6E-6Pa 沉積源:永磁靶3套，2英寸，可以向上濺射或向下濺射。 樣品尺寸，溫度:φ4英寸，1片，最高800C 占地面積(長x寬x高):約1米x1.8米x2米 電控描述:全自動 工藝:片內膜厚均勻性:≤3%